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9bit 可調(diào)光延時(shí)線芯片 SOI 硅光子技術(shù)

簡(jiǎn)要描述:9bit 可調(diào)光延時(shí)線芯片 SOI 硅光子技術(shù)集成多比特光時(shí)延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù),是目前綜合性能和集成度最高的光時(shí)延器產(chǎn)品。采用二進(jìn)制多級(jí)時(shí)延回路結(jié)構(gòu),芯片集成時(shí)延切換開(kāi)關(guān)和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導(dǎo)回路,延時(shí)切換時(shí)間達(dá)到 200ns 以下,最大總時(shí)延量 1022ps;延時(shí)精度 0.5ps,片內(nèi)單級(jí)延時(shí)損耗低至 0.8dB/bit

  • 產(chǎn)品型號(hào):ZG
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間:2025-05-10
  • 訪  問(wèn)  量:2183

詳細(xì)介紹

品牌梓冠

硅基單片集成 9bit 可調(diào)光延時(shí)線芯片

〖簡(jiǎn)介Introduction〗

單片集成多比特光時(shí)延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù),是目前綜合性能和集成度最高的光時(shí)延器產(chǎn)品。采用二進(jìn)制多級(jí)時(shí)延回路結(jié)構(gòu),芯片集成時(shí)延切換開(kāi)關(guān)和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導(dǎo)回路,延時(shí)切換時(shí)間達(dá)到 200ns 以下,最大總時(shí)延量 1022ps;延時(shí)精度 0.5ps,片內(nèi)單級(jí)延時(shí)損耗低至 0.8dB/bit。相比于傳統(tǒng)采用微波傳輸線的電時(shí)延芯片,光時(shí)延器可以適用任意的微波和毫米波頻段,具有極低的串?dāng)_非目標(biāo)時(shí)延信號(hào)消光比。最大時(shí)延 1ns 的 9bit 可調(diào)光延時(shí)芯片尺寸小至 2cm×1.5cm,大幅度減小系統(tǒng)體積;由于光載波頻率相對(duì)于微波信號(hào)大至 4 個(gè)數(shù)量級(jí)的頻率比,光子集成的時(shí)延器芯片具有覆蓋從米波到毫米波全頻段的信號(hào)處理能力,適合各類超寬帶相控陣的波束合成應(yīng)用。

〖特性Features

n 高速切換(100~200ns)

n 高延時(shí)精度(0.5ps 典型值,0.2ps 可達(dá))

n 超小尺寸

n 超寬帶工作

n 全固態(tài)波導(dǎo)芯片可靠性強(qiáng)

n 大時(shí)延范圍(~2ns 可達(dá))

n 高功率耐受度( 23dBm 典型值)


應(yīng)用Applications〗

n 光控相控陣系統(tǒng)、超寬帶光域信號(hào)處理

主要性能指標(biāo) Specifications

性能指標(biāo)/Parameter

單位/Unit

典型值/Typ.

備注/Notes

工作波長(zhǎng)/Operationwavelength

nm

1530-1570


延時(shí)位數(shù)/Delay bits

/

9

可定制/Can be customized

最小延時(shí)步進(jìn)/Min.step-delay

ps

2

可定制/Can be customized

可調(diào)節(jié)最大延時(shí)量/Adjustable max.delay

ps

1022


延時(shí)精度

ps

±0.5

16ps 延時(shí)量

±1

18~64ps 延時(shí)量

±2

66~512ps 延時(shí)量

±3

514~1022ps 延時(shí)量

延時(shí)切換時(shí)間/Delay switching time

ns

200


插入損耗/Insertion loss

dB

11

13dB max

各延時(shí)態(tài)損耗差異/Delay state loss difference

dB

±1


耐受光功率

dBm

23

26dBm max

波損耗/Return loss

dB

45


芯片尺寸/Chip dimension

mm

20×15×0.7



















9bit 可調(diào)光延時(shí)線芯片 SOI 硅光子技術(shù)

9bit 可調(diào)光延時(shí)線芯片 SOI 硅光子技術(shù)





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